肖特基二极管防反接保护电路图
见下图:
由上图可知,当电池接反时,肖特基二极管D导通,F被烧毁。若后面是推挽结构的主变换电路,两推挽开关MOS管的寄生二极管相当于和D并联,但压降比肖特基大得多,耐瞬间电流的冲击能力也低于肖特基二极管D,如此就可以避免大电流通过MOS管的寄生二极管,起到了保护两推挽开关MOS管的作用。
这种防反接保护电路结构十分简单,不会影响使用效率,但保护后会烧毁保险丝F,重新更换后,才可以恢复正常工作。
肖特基二极管防反接保护电路图
见下图:
由上图可知,当电池接反时,肖特基二极管D导通,F被烧毁。若后面是推挽结构的主变换电路,两推挽开关MOS管的寄生二极管相当于和D并联,但压降比肖特基大得多,耐瞬间电流的冲击能力也低于肖特基二极管D,如此就可以避免大电流通过MOS管的寄生二极管,起到了保护两推挽开关MOS管的作用。
这种防反接保护电路结构十分简单,不会影响使用效率,但保护后会烧毁保险丝F,重新更换后,才可以恢复正常工作。